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电容器(123)
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CL05A225KQ5NFNC 规格参数 0402/1005 2.2UF 6.3V X5R 代理三星电容
型号/规格：
CL05A225KQ5NFNC
品牌/商标：
SAMSUNG（三星）
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
产品主要用途：
普通/民用电子信息产品
引出线类型：
无引出线
特征：
长方型
标称容量范围：
2.2
额定电压范围：
6.3
温度系数范围：
-55℃～+85℃
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产品信息
产品概述Overview
NPO(COG)材质的贴片电容属于I类高频电容器，其电容量非常稳定，几乎不随环境温度、电压和时间变化而变化，尤其适用于高频电子线路。
X5R/X7R材质的贴片电容属于II类低频电容器，其电容量相对稳定，对环境温度、电压和时间的变化相对敏感。
Y5V材质的贴片电容属于II类低频电容器，其电容量受环境、温度、电压和时间的影响变化大。
特点：NPO(COG)材质具有高的电容量稳定性，在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm/℃、0±60ppm/℃，叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。广泛应用于回流焊和波峰焊。
X5R/X7R材质具有较高的电容量且较稳定，在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为±15％，叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。广泛应用于回流焊和波峰焊。
Y5V材质具有较宽的容量范围，在-55℃～＋85℃工作范围内，其温度系数为＋80-20％，叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。广泛应用于回流焊和波峰焊。
用途：
NPO(COG材质)适用于各种高频电子线路
X5R/X7R适用于各种滤波、耦合电路
Y5V材质适用于各种滤波电路
包装：
0603(1608)尺寸：4K/盘 0805(2012)尺寸:2K&3K&4K/盘
1206(3216)尺寸：2K&3K&4K/盘
误差：C=±0.25PF、D=±0.5PF、J=±5％、K=±10％、Z=+80％-20％
1.材料：NPO、 X7R、X5R、Y5V全系列
2.额定电压：6.3V-3000V
本产品适用于:灯饰、照明，工控板、车载播放器移动通信，个人电脑、汽车电子、主板、显示器和平板电视、家用DVD及移动DVD、数字接收设备、电脑外设（鼠标、键盘）等电子设备中及各类仪器仪表等·
NPO(COG)材质的贴片电容属于I类高频电容器，其电容量非常稳定，几乎不随环境温度、电压和时间变化而变化，尤其适用于高频电子线路。
X5R/X7R材质的贴片电容属于II类低频电容器，其电容量相对稳定，对环境温度、电压和时间的变化相对敏感。
Y5V材质的贴片电容属于II类低频电容器，其电容量受环境、温度、电压和时间的影响变化大。
特点：NPO(COG)材质具有高的电容量稳定性，在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm/℃、0±60ppm/℃，叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。广泛应用于回流焊和波峰焊。
X5R/X7R材质具有较高的电容量且较稳定，在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为±15％，叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。广泛应用于回流焊和波峰焊。
Y5V材质具有较宽的容量范围，在-55℃～＋85℃工作范围内，其温度系数为＋80-20％，叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。广泛应用于回流焊和波峰焊。
用途：
NPO(COG材质)适用于各种高频电子线路
X5R/X7R适用于各种滤波、耦合电路
Y5V材质适用于各种滤波电路
包装：
0603(1608)尺寸：4K/盘 0805(2012)尺寸:2K&3K&4K/盘
1206(3216)尺寸：2K&3K&4K/盘
误差：C=±0.25PF、D=±0.5PF、J=±5％、K=±10％、Z=+80％-20％
1.材料：NPO、 X7R、X5R、Y5V全系列
2.额定电压：6.3V-3000V
本产品适用于:灯饰、照明，工控板、车载播放器移动通信，个人电脑、汽车电子、主板、显示器和平板电视、家用DVD及移动DVD、数字接收设备、电脑外设（鼠标、键盘）等电子设备中及各类仪器仪表等·
比亚迪子公司引入小米等战略投资者 增资约8亿元
6月15日晚间消息，比亚迪股份有限公司（比亚迪，002594）公告称，公司控股子公司比亚迪半导体有限公司（以下简称“比亚迪半导体”）以增资扩股的方式引入小米长江产业基金、联想长江科技产业基金等多位战略投资者，合计增资约8亿元。
公告显示，小米长江产业基金、联想长江科技产业基金、爱思开（中国）企业管理有限公司等投资者按照比亚迪半导体的投前估值人民币75亿元，拟向比亚迪半导体合计增资人民币79999.9999万元，其中人民币3202.107724万元计入比亚迪半导体新增注册资本，人民币76797.892176万元计入比亚迪半导体资本公积，本轮投资者合计将取得比亚迪半导体增资扩股后7.843129%股权。
6月15日，比亚迪在投资者关系活动记录表中披露， 在公司市场化发展的战略布局下，比亚迪半导体作为中国的车规级IGBT厂商，仅用42天即成功引入红杉资本中国基金、中金资本、国投创新等投资机构，迈出了比亚迪市场化战略布局的步。日前，比亚迪半导体引入19亿元战投，投后估值近百亿元。后续公司将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作。